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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Kingston 9905678-027.A00G 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.9
15.2
写入速度,GB/s
8.7
9.0
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2724
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
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