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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Kingston 9905678-110.A00G 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
49
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
24
读取速度,GB/s
10.9
14.3
写入速度,GB/s
8.7
6.7
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2101
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
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