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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.9
18.2
写入速度,GB/s
8.7
13.2
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3473
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
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