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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Maxsun MSD48G30Q3 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
68
左右 28% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
68
读取速度,GB/s
10.9
15.5
写入速度,GB/s
8.7
8.1
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
1925
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
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