RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB

总分
star star star star star
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

总分
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 49
    左右 -48% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 10.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.2 left arrow 8.7
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    10.9 left arrow 14.9
  • 写入速度，GB/s
    8.7 left arrow 10.2
  • 内存带宽，mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2427 left arrow 2800

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
内存RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
内存RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
内存RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
内存RAM