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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
49
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
39
读取速度,GB/s
10.9
13.7
写入速度,GB/s
8.7
8.5
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2364
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
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