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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.9
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
49
读取速度,GB/s
10.9
10.5
写入速度,GB/s
8.7
8.3
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2374
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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