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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

总分
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

总分
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB 需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    39 left arrow 49
    左右 -26% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.1 left arrow 10.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.6 left arrow 8.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 17000
    左右 1.51 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 39
  • 读取速度，GB/s
    10.9 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    8.7 left arrow 12.6
  • 内存带宽，mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2427 left arrow 3000

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