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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.9
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
49
左右 -40% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
35
读取速度,GB/s
10.9
10.3
写入速度,GB/s
8.7
6.0
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
1851
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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