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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

总分
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

总分
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 49
    左右 -40% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.7 left arrow 10.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 8.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 17000
    左右 1.25 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    10.9 left arrow 15.7
  • 写入速度，GB/s
    8.7 left arrow 11.8
  • 内存带宽，mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2427 left arrow 2767

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较

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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
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内存RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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内存RAM
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Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
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内存RAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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内存RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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