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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
49
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
22
读取速度,GB/s
10.9
18.0
写入速度,GB/s
8.7
12.8
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3110
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
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