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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.9
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
49
左右 -36% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
36
读取速度,GB/s
10.9
9.1
写入速度,GB/s
8.7
7.5
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
1927
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
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