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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
10.9
14.6
写入速度,GB/s
8.7
11.5
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2199
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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