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Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
比较
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB vs SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
总分
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
总分
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
53
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
30
读取速度,GB/s
10.3
13.0
写入速度,GB/s
8.1
6.1
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2333
2317
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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