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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs AMD R948G2806U2S 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
AMD R948G2806U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
AMD R948G2806U2S 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
49
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
25
读取速度,GB/s
10.2
14.7
写入速度,GB/s
8.1
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2802
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
Crucial Technology CT8G3S160BM.C16FED 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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