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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
49
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
25
读取速度,GB/s
10.2
12.3
写入速度,GB/s
8.1
5.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
1966
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
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