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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
49
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
22
读取速度,GB/s
10.2
17.2
写入速度,GB/s
8.1
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3142
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
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