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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
34
读取速度,GB/s
10.2
15.7
写入速度,GB/s
8.1
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3226
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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