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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
49
左右 -172% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
18
读取速度,GB/s
10.2
21.1
写入速度,GB/s
8.1
16.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3971
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
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