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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.2
12.9
写入速度,GB/s
8.1
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2846
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
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