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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
10.2
20.6
写入速度,GB/s
8.1
14.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3367
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
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