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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
49
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
24
读取速度,GB/s
10.2
19.8
写入速度,GB/s
8.1
16.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
4005
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
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