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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
53
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
53
读取速度,GB/s
10.2
13.5
写入速度,GB/s
8.1
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2871
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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