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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.2
20.4
写入速度,GB/s
8.1
17.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
4214
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
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