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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
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规格
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.2
18.3
写入速度,GB/s
8.1
15.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3721
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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