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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
49
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
36
读取速度,GB/s
10.2
17.0
写入速度,GB/s
8.1
15.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3562
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
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