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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
差异
规格
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.2
17.2
写入速度,GB/s
8.1
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3324
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Lenovo 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
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