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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.2
17.3
写入速度,GB/s
8.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3299
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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