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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
27
读取速度,GB/s
10.2
18.1
写入速度,GB/s
8.1
14.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3446
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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