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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
59
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
59
读取速度,GB/s
10.2
17.9
写入速度,GB/s
8.1
9.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
1968
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
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