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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
49
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
26
读取速度,GB/s
10.2
18.8
写入速度,GB/s
8.1
15.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3733
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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