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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
差异
规格
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
10.2
16.1
写入速度,GB/s
8.1
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2968
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Elpida EBJ17RG4BBWD-GN-F 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
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