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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
差异
规格
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
49
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
35
读取速度,GB/s
10.2
15.4
写入速度,GB/s
8.1
11.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2676
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
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