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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
10.2
16.3
写入速度,GB/s
8.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2918
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
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