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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.2
17.3
写入速度,GB/s
8.1
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3209
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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