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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.2
16.5
写入速度,GB/s
8.1
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2951
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
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Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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