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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.2
17.7
写入速度,GB/s
8.1
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3772
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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