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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
27
读取速度,GB/s
10.2
15.3
写入速度,GB/s
8.1
11.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2545
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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