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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
49
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
22
读取速度,GB/s
10.2
17.2
写入速度,GB/s
8.1
13.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3007
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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