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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston 9905701-011.A00G 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.2
17.4
写入速度,GB/s
8.1
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3205
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
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