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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston 9905713-001.A00G 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
64
左右 23% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
64
读取速度,GB/s
10.2
16.8
写入速度,GB/s
8.1
6.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
1808
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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