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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
101
左右 51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
101
读取速度,GB/s
10.2
14.5
写入速度,GB/s
8.1
6.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
1369
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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