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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
49
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
38
读取速度,GB/s
10.2
19.7
写入速度,GB/s
8.1
13.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3186
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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