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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.8
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.2
10.8
写入速度,GB/s
8.1
5.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
1735
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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