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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston XRGM6C-MIE 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
10.2
16.5
写入速度,GB/s
8.1
13.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3347
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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