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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
49
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
26
读取速度,GB/s
10.2
17.2
写入速度,GB/s
8.1
15.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3617
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
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