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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
49
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
35
读取速度,GB/s
10.2
13.8
写入速度,GB/s
8.1
9.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2369
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
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