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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.2
9.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 -44% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
34
读取速度,GB/s
10.2
9.6
写入速度,GB/s
8.1
5.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
1839
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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