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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
49
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
37
读取速度,GB/s
10.2
14.4
写入速度,GB/s
8.1
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2179
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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