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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
49
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
39
读取速度,GB/s
10.2
15.5
写入速度,GB/s
8.1
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2264
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
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